[Ch11] 착화합물

• 리간드
  • 중심 금속 이온에 배위 결합을 하는 물질 / 전자쌍 제공
  • 리간드 = 루이스 염기  /  중심 금속 = 루이스 산
  • 리간드 개수 = 배위수 CN
• 형성 상수 $K_f$
  • 착화합물 형성 반응의 평형 상수
• 결정장 갈라짐   => 착이온 전자배치 알기 위함 (자성, 색 설명 가능)

  • 팔면체 구조 Oh	사면체 구조 Th	평면 사각형 구조 Sp	선형 구조
    리간드가 축 위로 공격	리간드 축 사이로 공격	리간드가 xy축으로 공격	리간드가 z축으로 공격

  • 영향 요인
    • 1) 착이온 구조
      • Sp : 항상 Δ 크다
      • Th : 항상 Δ 작다
      • Oh : Δ 클수도 작을 수도
    • 2) 리간드의 세기 ↑   ->  갈라짐 ↑
    • 3) 금속이온의 산화수 ↑  ->  갈라짐 ↑
  • 고스핀 = Δ 작다 = 긴 파장의 빛 흡수
  • 저스핀 = Δ 크다 = 짧은 파장의 빛 흡수
  • $d^6\ low\ spin$은 반자성이다. (홀전자 0개)

• 반자성 = 홀전자 X
  • $d^0$, $d^{10}$, $d^6\ low\ spin$  - ex. $Fe^{2+}$ , $Co^{3+}$